[发明专利]半导体外延结构、半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410777695.4 | 申请日： | 2014-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN104409499B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 裴轶;刘飞航;张乃千 | 申请（专利权）人： | 苏州捷芯威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 吴开磊 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体外延结构、半导体器件及其制造方法，半导体外延结构包括衬底和位于衬底上的半导体外延层，衬底与半导体外延层实现完整分离后，在半导体外延层背面覆盖有高导热率绝缘层，高导热率绝缘层的导热率高于衬底的导热率；该半导体器件包括半导体外延结构和位于半导体外延结构中半导体外延层正面上的源极、漏极、以及栅极。本发明可以实现衬底材料的重复利用，既保证了半导体外延层的晶体质量，又降低了材料成本，还省去了后续针对衬底材料的减薄工艺，简化了工艺，降低了工艺成本，提高了工艺成品率；并且高导热率绝缘层可以显著改善器件散热能力，并且避免衬底漏电和击穿问题出现，大大提高了器件的性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体外延结构 半导体外延层 衬底 绝缘层 半导体器件 高导热率 衬底材料 导热率 工艺成品率 材料成本 工艺成本 散热能力 重复利用 漏电 击穿 减薄 漏极 源极 背面 制造 覆盖 保证 | ||
【主权项】：
1.一种半导体外延结构，所述半导体外延结构为整个或部分晶圆，半导体外延结构至少包括衬底和半导体外延层，所述半导体外延层位于所述衬底上，所述半导体外延层包括与所述衬底接触的成核层，其特征在于，所述衬底与半导体外延层实现完整分离后，去除掉所述成核层，形成不含成核层的半导体外延层，在不含成核层的半导体外延层背面覆盖有高导热率绝缘层，其中，所述高导热绝缘层的导热率、介电常数和击穿电场高于原衬底；所述半导体外延层和高导热率绝缘层之间还包括用于增强高导热率绝缘层的材料质量和粘附性的界面介质层。
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