[发明专利]太阳能电池正表面局部接触的栅线结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201410778073.3 | 申请日： | 2014-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN104465805A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 盛健 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人： | 孙彬 |
| 地址： | 213022 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池正表面局部接触的栅线结构及其制备方法，太阳能电池正表面局部接触的栅线结构具有多条栅线电极，每条栅线电极具有多段局部接触金属电极和多段非接触金属电极，局部接触金属电极和非接触金属电极电性连接，非接触金属电极由非烧穿型金属电极浆料制成，局域接触金属电极穿过电池的介质膜后与硅基体构成欧姆接触。本发明能够在保证避免输运电子的情况下，有效降低金属化面积，降低金属化区域的复合电流，从而有效地提升电池的开路电压，提高太阳电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 表面 局部 接触 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池正表面局部接触的栅线结构，其特征在于：它具有多条栅线电极(1)，每条栅线电极(1)具有多段局部接触金属电极(11)和多段非接触金属电极(12)，局部接触金属电极(11)和非接触金属电极(12)电性连接，非接触金属电极(12)由非烧穿型金属电极浆料制成，局域接触金属电极(11)穿过电池的介质膜(2)后与硅基体(3)构成欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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