[发明专利]半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法有效
| 申请号： | 201410778276.2 | 申请日： | 2011-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN104570440B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 霍思涛;黄忠守 | 申请（专利权）人： | 上海天马微电子有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1333 | 分类号： | G02F1/1333;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 201201 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法。其中，通过去除相邻像素的透射电极和反射电极交界处的第二延伸部，即由此制造的半透半反式液晶显示器阵列基板及液晶显示器不具有该第二延伸部，避免了该第二延伸部对液晶层分子取向的影响，从而防止了半透半反式液晶显示器的漏光，提高了半透半反式液晶显示器的显示效果，提高了开口率。 | ||
| 搜索关键词： | 半透半 反式 液晶显示器 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法，包括：步骤S11、提供一形成有至少两个透射电极的基板；步骤S12、在所述形成有至少两个透射电极的基板上形成绝缘层，刻蚀所述绝缘层以暴露出所述透射电极；步骤S13、对所述绝缘层实施固化工艺，使得所述绝缘层具有向与其在同一像素内的透射电极延伸的第一延伸部，以及具有向与其在相邻像素的透射电极延伸的第二延伸部；步骤S14、在所述绝缘层表面形成反射电极；步骤S15、刻蚀去除所述第二延伸部。
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