[发明专利]一种WS2-MoS2-C复合负极材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201410778600.0 | 申请日： | 2014-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN104577063A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 曾宏;武英;赵海花;周少雄 | 申请（专利权）人： | 安泰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/58;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙)11387 | 代理人： | 刘春成;荣红颖 |
| 地址： | 100081*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种WS2-MoS2-C复合负极材料及其制备方法，该材料表示为如下结构式：(WS2)x(MoS2)yCz，由纳米级WS2、纳米级MoS2以及纳米级石墨颗粒复合而成，其中，纳米级WS2和纳米级MoS2的粒径为10-60nm，纳米级WS2和纳米级MoS2均匀分布于石墨基体中且被石墨基体包覆，结构式中的x、y和z分别表示WS2、MoS2以及石墨在所述复合负极材料中的质量百分比，且x、y和z同时满足以下关系：x+y+z＝1，(x+y)/z≥1，x≠0，y≠0。该复合负极材料以二硫化钨粉、二硫化钼粉和石墨粉作为原料，采用机械球磨法获得。材料有比较大的比表面积，具有良好电化学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ws2 mos2 复合 负极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种WS2‑MoS2‑C复合负极材料，其特征在于，该材料表示为如下结构式：(WS2)x(MoS2)yCz，由纳米级WS2、纳米级MoS2以及纳米级石墨颗粒复合而成，其中，所述纳米级WS2和所述纳米级MoS2的粒径为10‑60nm，所述纳米级WS2和所述纳米级MoS2均匀分布于所述石墨基体中且被所述石墨基体包覆，所述结构式中的x、y和z分别表示WS2、MoS2以及石墨在所述复合负极材料中的质量百分比，且x、y和z同时满足以下关系：x+y+z＝1，(x+y)/z≥1，x≠0，y≠0。
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