[发明专利]一种超薄硅膜及其制备方法和用途有效
| 申请号： | 201410779431.2 | 申请日： | 2014-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN104466144B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 张宇明 | 申请（专利权）人： | 昆山瑞坦纳新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;H01M4/1395;H01M4/134 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋;杨晞 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种超薄硅膜及其制备方法和用途，该超薄硅膜自下而上依次包括导电基底层、硅膜层和钝化层，由磁控溅射和原子层沉积方法制备得到。该超薄硅膜的硅膜层厚度均匀可控，钝化层厚度适宜，具有优异的电化学性能，用于锂二次电池的电极，能够改变电极材料表面的电化学反应、加快锂离子在充放电过程中的嵌入和脱嵌过程，从而大幅度提高锂二次电池的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 硅膜 制备 锂二次电池 钝化层 硅膜层 电极材料表面 充放电过程 导电基底层 电化学反应 电化学性能 原子层沉积 磁控溅射 厚度均匀 锂离子 电极 可控 脱嵌 嵌入 | ||
【主权项】：
1.一种超薄硅膜，其特征在于，所述超薄硅膜自下而上依次包括导电基底层、硅膜层和钝化层；所述超薄硅膜的厚度为10μm‑100μm；所述硅膜层采用射频溅射法制备得到，操作条件为：选用的靶材为硅靶；工作气为氩气，压强控制在0.6‑1Pa；常温生长硅膜，生长硅膜时溅射功率为70‑130W，溅射时间为0.5‑200min；硅靶采用水冷降温；利用原子层沉积的方法，在所述的硅膜层表面包覆一层钝化层，原子层沉积的操作条件是：以水蒸气和金属源前驱体为脉冲气体，反应温度为50‑250℃，反应压强为1Pa以下，沉积时间为1‑50min；所述钝化层为ZnO层、MgO层或SnO2层；所述钝化层的厚度为0.5nm‑5nm；所述导电基底层为铁层、铜铁层、镍铁层或铜镍铁层，所述导电基底层的厚度为10μm‑90μm。
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