[发明专利]一种新型二氧化锡半导体及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201410779572.4 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN104445377B | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 田蒙奎 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | C01G19/02 | 分类号： | C01G19/02;B01J23/14 |
| 代理公司： | 贵阳东圣专利商标事务有限公司 52002 | 代理人： | 兰艳文 |
| 地址： | 550025 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 一种新型二氧化锡半导体光催化剂，用锡的二价氯化物SnCl2.2H2O或锡的二价溴化物SnBr2.2H2O溶于甲醇或乙醇，并于水热反应釜中于150°C水热反应加工而成的具有可见光响应的SnO2纳米半导体材料，平均晶粒尺寸为2.5nm，单相的SnO2粉末，吸收边达到570nm，对应于2.17eV的带隙，可见光波长范围内展示较高的光阳极电流达mA/cm2级以及产氢和产氧的半反应活性。制备方法是：用锡的二价氯化物SnCl2.2H2O或锡的二价溴化物SnBr2.2H2O溶于甲醇或乙醇，制备成20mmol/L浓度的醇溶液，在水热反应釜中于150°C水热反应至少24h,静置过滤，滤物固体在50‑80℃干燥，即得。应用是将产品制备成光电极，在可见光响应下，具有较高的光电化学分解水活性，用于光催化分解水，或用作可见光催化剂领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 氧化 半导体 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种新型二氧化锡半导体，其特征是：其制备方法是，称取SnCl2.2H2O 6.294g溶于1升无水甲醇配制得20mmol/L浓度的SnCl2.2H2O甲醇溶液，在水热反应釜中于150°C水热反应至少24h,静置过滤，滤物固体在50‑80℃干燥，即得具有可见光响应的SnO2 纳米半导体材料，产品晶粒尺寸平均2.5nm，吸收边达到570nm，对应于2.17eV的带隙，可见光波长范围内展示较高的光阳极电流达 mA/cm2级以及产氢和产氧的半反应活性；制备成光电极，在可见光响应下，具有较高的光电化学分解水活性，用于分解水，或用作可见光催化剂领域。
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