[发明专利]一种复合透明导电电极的LED芯片制作方法

摘要

本发明公开了一种复合透明导电电极的LED芯片，包括依次生长在衬底上的氮化镓缓冲层、N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层和复合透明电极层，其特征在于：所述的N‑GaN层上制作有n型电极，复合透明电极层的石墨烯层上制作有p型电极，所述的复合透明电极层由石墨烯层状薄膜和生长在石墨烯层状薄膜上的ZnO纳米棒复合而成，也介绍了该芯片的制作方法。本发明所形成的石墨烯层状薄膜/ZnO纳米棒复合透明电极层，具有防开裂、易加工且透光性能好的优点，使得芯片的接触性能、电流扩展性能和透射率都可以得到大幅提高，并可以大大减少后续芯片工艺的生产成本。

主权项

1.一种复合透明导电电极的LED芯片的制作方法，包括如下步骤：A、采用MOCVD技术在蓝宝石衬底上依次生长氮化镓缓冲层、N‐GaN层、量子阱层和P‐GaN层；B、在P‐GaN层涂覆一层光刻胶，再进行曝光、显影，在一侧通过ICP法刻蚀到N‐GaN的台面；C、在P‐GaN层上制作有复合透明电极层(TCL)，复合透明电极层由石墨烯的层状薄膜和ZnO纳米棒复合而成；D、通过光刻工艺，在一侧的复合透明电极层上腐蚀部分ZnO纳米棒，然后在石墨烯层状薄膜上得到P电极，另一侧的N‐GaN层上得到N电极，完成LED芯片的制作；所述步骤C中，复合透明电极层的制作方法包含如下步骤：C1、首先将石墨烯或氧化石墨烯中的一种材料和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)材料进行均匀混合，把混合材料涂覆在芯片晶圆上；C2、把涂覆有混合材料的芯片晶圆放在中温管式炉中，以H2为载气、N2为保护气体，用化学气相沉积法(CVD)得到石墨烯层状薄膜；C3、把上述步骤制得的石墨烯层状薄膜浸于丙酮溶液中，低温加热，去除掉表面的PMMA，反复清洗后，室温下晾干；C4、用MOCVD法或USP法在石墨烯层状薄膜上生长一层ZnO纳米棒。