[发明专利]一种铪基高k栅介质堆栈结构及其MOSFET器件在审
| 申请号： | 201410782187.5 | 申请日： | 2014-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105762179A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 陈小强;杜军;熊玉华;魏峰 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青;熊国裕 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铪基高k栅介质堆栈结构及其MOSFET器件。该铪基高k栅介质堆栈结构包括在硅衬底上表面依次设置的界面过渡层、铪基高k栅介质层和栅电极，以及在硅衬底下表面设置的背电极，其中铪基高k栅介质层是通过过渡金属氧化物掺杂氧化铪形成的叠层结构。本发明采用半导体工业标准工艺，通过过渡金属氧化物(M-O：TiO2、ZrO2)对氧化铪进行掺杂，得到介电常数高于氧化铪的栅介质薄膜，在同等栅极氧化物厚度下实现更低的EOT，制备综合性能更优的铪基栅介质堆栈结构以及其MOSFET器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铪基高 介质 堆栈 结构 及其 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
一种铪基高k栅介质堆栈结构，其特征在于，包括在硅衬底上表面依次设置的界面过渡层、铪基高k栅介质层和栅电极，以及在硅衬底下表面设置的背电极，其中铪基高k栅介质层是通过过渡金属氧化物掺杂氧化铪形成的叠层结构。
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