[发明专利]非平面器件和应变产生沟道电介质

摘要

本发明提供了一种具有设置在沟道区下面的应变产生结构的非平面电路器件。在示例性实施例中，集成电路器件包括衬底，第一鳍结构和第二鳍结构设置在衬底上。隔离部件沟槽限定在第一鳍结构和第二鳍结构之间。该电路器件还包括设置在隔离部件沟槽内的衬底的水平面上的应变部件。应变部件可以配置成对在第一鳍结构上形成的晶体管的沟道区产生应变。电路器件还包括设置在隔离部件沟槽内的应变部件上的填充电介质。在一些这种实施例中，应变部件还设置在第一鳍结构的垂直面上以及第二鳍结构的垂直面上。本发明还涉及非平面器件和应变产生沟道电介质。

主权项

1.一种集成电路器件，包括：衬底；第一鳍结构和第二鳍结构，所述第一鳍结构和所述第二鳍结构均设置在所述衬底上并且具有限定在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构之间的隔离部件沟槽，其中，所述第一鳍结构和所述第二鳍结构均包括设置在所述衬底上的下部和设置在所述下部上的上部，其中，所述下部具有与所述上部不同的半导体材料；应变部件，设置在所述隔离部件沟槽内的所述衬底的水平面上，并且设置在所述第一鳍结构和第二鳍结构的下部的垂直表面上，而不设置在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构的上部的垂直表面上；以及填充电介质，设置在所述隔离部件沟槽内的所述应变部件上。