[发明专利]斜腔半导体光放大器的耦合方法在审

专利信息
申请号: 201410784618.1 申请日: 2014-12-17
公开(公告)号: CN104518425A 公开(公告)日: 2015-04-15
发明(设计)人: 于丽娟;王玮钰;袁海庆;刘建国;祝宁华 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01S5/06 分类号: H01S5/06
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种斜腔半导体光放大器的耦合方法,包括以下步骤:步骤1:根据半导体光放大器芯片中的斜波导的倾斜角计算光的出射角;步骤2:以出射角顺时针旋转半导体光放大器的芯片,使出射光为水平方向;步骤3:芯片出射光的耦合光纤分别对准芯片两端腔面的出射光方向;步骤4:固定两端的耦合光纤,使光纤对准波导的出光方向,完成耦合。本发明能够高效耦合斜腔半导体光放大器芯片,具有结构简单和方便适用的特点。
搜索关键词: 半导体 放大器 耦合 方法
【主权项】:
一种斜腔半导体光放大器的耦合方法,包括以下步骤:步骤1:根据半导体光放大器芯片中的斜波导的倾斜角计算光的出射角;步骤2:以出射角顺时针旋转半导体光放大器的芯片,使出射光为水平方向;步骤3:芯片出射光的耦合光纤分别对准芯片两端腔面的出射光方向;步骤4:固定两端的耦合光纤,使光纤对准波导的出光方向,完成耦合。
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