[发明专利]一种LED芯片外延层的制作方法及LED芯片结构有效
| 申请号： | 201410785255.3 | 申请日： | 2014-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN104465925A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 吴飞翔;李庆;晏平;陈立人;蔡睿彦 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐灵;常亮 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED芯片外延层的制作方法，通过控制GaN的生长方式，使其首先在垂直方向上优先生长成间隔设置的柱状结构，后进行水平生长连接成平面结构，使得衬底与平面结构间的柱状结构间隙处形成镂空结构，使得衬底与GaN之间增加了空气层，实现在无需镀反射层的情况下，有效提高界面的折射率差，减少入射至蓝宝石的光，减少蓝宝石衬底对光的吸收，增加背面出光的全反射，增加整个LED芯片的亮度，同时减少芯片的发热量，提高LED芯片的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 外延 制作方法 结构 | ||
【主权项】：
一种LED芯片外延层的制作方法，其特征在于，所述LED芯片的衬底为蓝宝石，所述LED芯片的外延层内部具有镂空结构，具体制作步骤如下：S1：SiO2层的制作：通过PECVD在蓝宝石衬底上生长SiO2层，之后通过匀胶、曝光、显影、刻蚀制作出所需的SiO2图形；S2：AlN的制作：在SiO2层上通过MOCVD或RPD生长AlN，后通过刻蚀工艺去除SiO2层得到多个单一的AlN结构，且多个AlN结构间相互间隔设置；S3：外延层制作：通过MOCVD在AlN上沿垂直方向生长GaN外延层，形成多个单一的柱状结构；S4：外延层制作：通过MOCVD在柱状结构的GaN外延层基础上沿水平方向生长GaN外延层，连接形成平面结构；该平面结构与蓝宝石衬底之间的柱状结构处的间隙形成镂空结构；S5：外延层制作：通过MOCVD在GaN外延层上生长发光层MQW与P‑GaN层，形成LED芯片的外延层。
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