[发明专利]接触孔结构的制作方法及半导体器件在审
| 申请号： | 201410785409.9 | 申请日： | 2014-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105762104A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 周真;徐俊;吕乐 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种接触孔结构的制作方法及半导体器件。该制作方法包括以下步骤：在半导体基体上形成接触孔，并在位于接触孔内的半导体基体上形成金属硅化物；在金属硅化物上以及接触孔的内壁上形成粘附金属层；执行氮等离子体处理，以在粘附金属层中形成金属氮化物层；在金属氮化物层上形成扩散阻挡层。该制作方法通过执行氮等离子体处理以在粘附金属层中形成金属氮化物层，减少了所形成的粘附金属层的厚度，从而减少了粘附金属层与金属硅化物层的反应，并减少了由于粘附金属层跟金属硅化物层反应导致的金属硅化物中硅的损失，进而提高了金属硅化物层的电阻率，并进一步降低了所形成半导体器件的失效率。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 结构 制作方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种接触孔结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：在半导体基体上形成接触孔，并在位于所述接触孔内的所述半导体基体上形成金属硅化物；在所述金属硅化物上以及所述接触孔的内壁上形成粘附金属层；执行氮等离子体处理，以在所述粘附金属层中形成金属氮化物层；在所述金属氮化物层上形成扩散阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
