[发明专利]具有氮化镓系高阻层的HEMT及制备方法有效
| 申请号： | 201410785415.4 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN104485357A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 张烁;马平;郭仕宽;刘波亭;李晋闽;王军喜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种具有氮化镓系高阻层的HEMT，其包括：一衬底；一氮化镓成核层，该氮化镓成核层生长在衬底上；一高阻层，该高阻层生长在氮化镓成核层上；一氮化镓沟道层，该氮化镓沟道层生长在高阻层上；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层生长在氮化镓沟道层上；一势垒层，该势垒层成分为氮化镓铝，生长在氮化铝插入层上；一帽层，其生长在势垒层上；一源极，其制作在帽层上面的一侧；一漏极，其制作在帽层上面的另一侧；一栅极，其制作在帽层上面，源极和漏极之间；该源极、漏极和栅极彼此分开。本发明可以实现降低氮空位浓度，降低背景载流子浓度，获得高阻层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 氮化 镓系高阻层 hemt 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有氮化镓系高阻层的HEMT，其包括：一衬底；一氮化镓成核层，该氮化镓成核层生长在衬底上；一高阻层，该高阻层生长在氮化镓成核层上；一氮化镓沟道层，该氮化镓沟道层生长在高阻层上；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层生长在氮化镓沟道层上；一势垒层，该势垒层成分为氮化镓铝，生长在氮化铝插入层上；一帽层，其生长在势垒层上；一源极，其制作在帽层上面的一侧；一漏极，其制作在帽层上面的另一侧；一栅极，其制作在帽层上面，源极和漏极之间；该源极、漏极和栅极彼此分开。
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