[发明专利]硅衬底、其制作方法及包括其的IPD器件有效
| 申请号： | 201410785493.4 | 申请日： | 2014-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105762116B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 陈林;李广宁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种硅衬底、其制作方法及包括其的IPD器件。该硅衬底中掺杂有P型元素或N型元素，其中，硅衬底中还掺杂有碳元素，且碳元素与硅衬底中的间隙氧形成C‑O复合体。将硅衬底中的间隙氧与掺入的碳元素形成热稳定性较好的C‑O复合体，能够使间隙氧的浓度大大降低。这就有利于避免间隙氧在后期的多步热处理工艺中成为氧热施主，从而有利于使硅衬底在整个IPD器件制作工艺中保持稳定的电阻率，最终使器件保持稳定的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 制作方法 包括 ipd 器件 | ||
【主权项】：
1.一种硅衬底，所述硅衬底中掺杂有P型元素或N型元素，其特征在于，所述硅衬底中还掺杂有碳元素，且所述碳元素与所述硅衬底中的间隙氧形成C‑O复合体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410785493.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：均热性热板
- 下一篇：半导体装置及其制作工艺
