[发明专利]快闪存储器、存储器模块、处理系统以及处理方法有效
| 申请号： | 201410786837.3 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN105788633B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 村上洋树 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种快闪存储器、存储器模块、处理系统以及处理方法。本发明的NAND型快闪存储器(100)包括：具有NAND型存储格的存储器阵列(110)、包含处理器及ROM/RAM的控制器(150)、及产生内部系统时脉的系统时脉产生电路(200)。在ROM/RAM中，至少存储有用于快闪存储器的设置的设置命令，处理器在设置期间内，基于内部系统时脉信号来处理设置命令。控制器(150)还控制系统时脉产生电路(200)，以使内部系统时脉信号的频率在设置期间内高速化。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 存储器 模块 处理 系统 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种快闪存储器，为反及型快闪存储器，其特征在于，包括：/n存储器阵列，具有反及型存储格；/n时脉信号产生部件，包括：/n时脉产生器，产生时脉信号；/n倍增电路，与所述时脉产生器连接，对所述时脉信号的频率进行倍增；以及/n时脉选择电路，与所述时脉产生器及所述倍增电路连接，选择所述时脉信号或经倍增的时脉信号中的任一个；/n执行部件，接收由所述时脉选择电路所选择的时脉信号，并与所述时脉信号同步地执行所述快闪存储器的预先规定的处理；以及/n控制部件，根据设置的种类设定由所述倍增电路对所述时脉信号进行倍增的值n，n为大于1的正数，其中所述时脉信号的频率为f，所述经倍增的时脉信号的频率为f×n，/n其中，在所述执行部件进行的设置期间内，所述控制部件控制所述时脉选择电路选择所述经倍增的时脉信号，且在所述执行部件进行的设置期间外，控制所述时脉选择电路选择所述时脉信号，其中所述设置是与所述存储器阵列电气隔离的电路中的处理，/n其中，所述执行部件在所述设置的期间内，基于所述经倍增的时脉信号来执行处理。/n
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