[发明专利]薄膜晶体管的制造方法及制造薄膜晶体管的设备在审
| 申请号： | 201410787296.6 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN104485283A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 林亮宇;郑君丞 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 薄膜晶体管的制造方法及制造薄膜晶体管的设备，该制造方法包括以下步骤。在基板上依序形成栅极以及绝缘层。在绝缘层上形成源极以及漏极。在栅极上方的绝缘层上涂布金属氧化物前趋物溶液。通入气体，其中气体不与金属氧化物前趋物溶液反应。对金属氧化物前趋物溶液进行照光程序，以使得金属氧化物前趋物溶液进行光交联反应而形成金属氧化物半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：在一基板上依序形成一栅极以及一绝缘层；在该绝缘层上形成一源极以及一漏极；在该栅极上方的该绝缘层上涂布一金属氧化物前趋物溶液；通入一气体，其中该气体不与该金属氧化物前趋物溶液反应；以及对该金属氧化物前趋物溶液进行一照光程序，以使得该金属氧化物前趋物溶液进行光交联反应而形成一金属氧化物半导体材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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