[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明的目的在于提供一种使半导体元件与欧姆电极之间的接触电阻值的晶片面内均一性提高的半导体装置的制造方法。在将多层金属层退火而形成欧姆电极的退火工序之前的升温过程中，设置将第1温度范围的范围内的温度维持30秒至150秒的温度维持工序。第1温度范围是从比该多层金属层的各层的熔点中最低的熔点即最低熔点低100℃的温度至该最低熔点为止的范围内的温度。在温度维持工序之后，用于进入退火工序的升温，以不损害通过该温度维持工序形成的晶片面内的温度均一性的方式，以5℃/秒至20℃/秒的升温速度，将炉内温度升温。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：分别针对在晶片上形成的多个半导体元件形成多层金属层的工序，其中，所述多层金属层具有所述半导体元件上的第1金属层、所述第1金属层上的第2金属层、以及所述第2金属层上的第3金属层；将所述晶片放入退火炉的工序；第1升温工序，在该工序中，使所述退火炉的炉内温度升温至从比所述多层金属层的各层的熔点中最低的熔点即最低熔点低100℃的温度至所述最低熔点为止的第1温度范围的范围内的温度；温度维持工序，在该工序中，在所述第1升温工序之后，将所述第1温度范围的范围内的温度维持30秒至150秒；第2升温工序，在该工序中，在所述温度维持工序之后，使所述炉内温度以5℃/秒至20℃/秒的升温速度，升温至比所述多层金属层的各层的熔点中最高的熔点即最高熔点低而比所述最低熔点高的第2温度范围的范围内的温度；以及退火工序，在该工序中，在所述第2升温工序之后，将所述第2温度范围的范围内的温度维持30秒至150秒，由所述多层金属层形成欧姆电极，所述多层金属层在比所述最高熔点低的温度下不具有共晶点，所述第3金属层的熔点比所述第2金属层的熔点低，所述第2金属层的熔点比所述第1金属层的熔点低。