[发明专利]浅沟槽结构的清洗方法、隔离结构的制作方法及半导体器件

摘要

本申请公开了一种浅沟槽结构的清洗方法、隔离结构的制作方法及半导体器件。该浅沟槽结构包括衬底，位于衬底中的浅沟槽，以及位于衬底上的介质掩膜层，该清洗方法包括以下步骤：对浅沟槽结构进行第一次清洗，以去除浅沟槽中的残留物；采用磷酸溶液对第一次清洗后的浅沟槽结构进行第二次清洗。该清洗方法中，磷酸溶液能够腐蚀上述反应产物并将反应产物剥离出去，从而减少清洗浅沟槽结构过程中产生的反应产物。同时，磷酸溶液还能回蚀介质掩膜层，从而增大了浅沟槽的顶端露出的面积，使得在浅沟槽的内壁上形成线性氧化物层的步骤中浅沟槽的顶端更容易被圆滑。

主权项

一种浅沟槽结构的清洗方法，所述浅沟槽结构包括衬底，位于所述衬底中的浅沟槽，以及位于所述衬底上的介质掩膜层，其特征在于，所述清洗方法包括以下步骤：对所述浅沟槽结构进行第一次清洗，以去除所述浅沟槽中的残留物；采用磷酸溶液对所述第一次清洗后的所述浅沟槽结构进行第二次清洗。