[发明专利]一种离子注入机绝缘环组件有效
| 申请号： | 201410788910.0 | 申请日： | 2014-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN105895549B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 马国宇 | 申请（专利权）人： | 北京中科信电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 43113 长沙正奇专利事务所有限责任公司 | 代理人： | 马强<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 101111 北京市通*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种离子注入机绝缘环组件，该绝缘环组件用于完成低能大束流离子注入机能量减速系统，它将整个离子注入机光路分割成两个电位区域，当离子束从一个电位区域运动到另一个电位区域，离子能量发生变化。绝缘环组件包括绝缘环和电子屏蔽系统，绝缘环实现光路束线的物理绝缘，电子屏蔽系统实现绝缘环与离子束的物理隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 绝缘 组件 | ||
【主权项】：
1.一种离子注入机绝缘环组件，其特征在于包括，绝缘环(4)将整体束线光路部分物理分隔成为两个电位区域，绝缘环内外表面加工成重复的凹槽和凸起结构，增加绝缘距离；低压区(1)和高压区(5)构成光路两个电位区，当离子束从低压区运动到高压区，在电场作用下离子能量降低；第一屏蔽筒(2)和第二屏蔽筒(3)将离子束线与绝缘环隔离，第一屏蔽筒(2)与第二屏蔽筒(3)为相互嵌套结构，它们的制作材料为导电材料，第一屏蔽筒(2)在外侧，第二屏蔽筒(3)的末端横向为凹型的圆弧形状。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京中科信电子装备有限公司，未经北京中科信电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410788910.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：湿刻设备
- 下一篇：芯片的固定装置、固定方法、PCB板及电子设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
