[发明专利]一种金属掺杂的中空介孔氧化硅纳米球及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410789134.6 申请日: 2014-12-17
公开(公告)号: CN105776225B 公开(公告)日: 2017-12-15
发明(设计)人: 徐杰;陈佳志;路芳;张俊杰;于维强;高进;苗虹 申请(专利权)人: 中国科学院大连化学物理研究所
主分类号: C01B33/12 分类号: C01B33/12;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司21002 代理人: 马驰
地址: 116023 *** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开了一种金属掺杂的中空介孔氧化硅纳米球及其制备方法,其特征在于掺杂金属元素为周期表中IIIA、IVA、VA、过度金属及稀土金属的元素中的一种或二种以上,其与硅原子的摩尔数之比为0.01‑0.2;该纳米球具有均一的二维六方孔道结构,粒径60‑200nm,空腔直径大小为40‑180nm,球壁厚为10‑30nm,介孔孔径2.0‑4.0nm,比表面积为600‑1600m2·g‑1,孔容为2.0‑4.0cm3·g‑1。本发明采用溶胶凝胶法直接合成金属掺杂的中空介孔硅纳米球材料,不需要采用硬质模版,避免刻蚀等后处理步骤,具有工艺简单、条件温和、原料低廉、反应效率高、可操作性强、易于工业生产等优点。制备的中空介孔纳米球介孔结构高度有序、孔容大,有利于客体分子的内外传输及储存,可用于催化、吸附、分离、药物控制释放等过程。
搜索关键词: 一种 金属 掺杂 中空 氧化 纳米 及其 制备 方法
【主权项】:
一种金属掺杂的中空介孔氧化硅纳米球,其特征在于:该纳米球具有均一的二维六方孔道结构,粒径60‑200 nm,空腔直径大小为40‑180 nm,球壁厚为10‑30 nm,孔径分布为2.0‑4.0 nm,比表面积600‑1600 m2·g‑1,孔容为2.0‑4.0 cm3·g‑1;掺杂金属元素为周期表中IIIA、IVA、VA、过渡金属及稀土金属的元素中的一种或二种以上,其与硅原子的摩尔数之比为0.01‑0.5。
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