[发明专利]用于功率半导体开关的监测方法和设备

摘要

本发明涉及一种用于功率半导体开关的监测方法和设备。该功率半导体开关被配置成基于通过栅极驱动器单元驱动的栅极电压信号受控。该设备包括：测量装置，该测量装置用于基于功率半导体开关上的电压生成饱和电压信号；辅助开关，该辅助开关连接在携载该饱和电压信号的饱和电压信号线与驱动栅极电压信号的栅极驱动器单元的输出之间，其中，该辅助开关被配置成基于该栅极电压信号被控制为导通状态或不导通状态；以及反馈装置，该反馈装置用于基于该饱和电压信号生成饱和反馈信号。

主权项

1.一种用于功率半导体开关(21)的监测设备，所述功率半导体开关(21)被配置成基于通过栅极驱动器单元(22)驱动的栅极电压信号被控制为导通状态或不导通状态，其中，所述设备包括：测量装置(23)，所述测量装置(23)用于基于所述功率半导体开关(21)上的电压生成饱和电压信号；辅助开关，所述辅助开关连接在携载所述饱和电压信号的饱和电压信号线与驱动所述栅极电压信号的所述栅极驱动器单元(22)的输出之间，其中，所述辅助开关被配置成基于第二参考信号和所述栅极电压信号之间的差被控制为导通状态或不导通状态，使得所述饱和电压信号在所述功率半导体开关(21)的不导通状态期间变得响应于所述栅极电压信号的电平，以使用所述饱和电压信号用于诊断所述栅极驱动器单元(22)的电源电压；以及反馈装置(24)，所述反馈装置(24)用于基于所述饱和电压信号生成饱和反馈信号；其中，所述第二参考信号是作为所述功率半导体开关(21)的发射极电压电位或源极电压电位的第二参考电压；或者，其中，所述设备包括用于生成所述第二参考信号的参考电压生成装置(76)，其中，所述参考电压生成装置(76)被配置成在所述功率半导体开关(21)的不导通状态期间调制所述第二参考信号以调制所述反馈信号，其中，对所述反馈信号的调制的频率和/或占空比响应于供给所述栅极驱动器单元(22)的正电源电压的电平和/或负电源电压的电平。