[发明专利]沟槽式快恢复二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201410790149.4 | 申请日： | 2014-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN105762198B | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 林茂;戚丽娜;张景超;钱锴;刘利峰;赵善麒;王晓宝 | 申请（专利权）人： | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 常州金之坛知识产权代理事务所(普通合伙) 32317 | 代理人： | 贾海芬 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种沟槽式快恢复二极管，在场氧化层的有源区窗口内间隔设有三个以上沟槽氧化层和位于两沟槽氧化层之间的沟槽外注入区，沟槽氧化层内凹的空腔内填有沟槽多晶硅，各沟槽氧化层的底部与沟槽P+型杂质层相连，沟槽外注入区具有依次相连的N型杂质电荷积累层、沟槽外P型杂质层和沟槽外P+杂质层，N型杂质电荷积累层不超出沟槽氧化层的底部；场氧化层有源区窗口外的终端区内具有终端P型杂质层，场氧化层的上部具有终端多晶硅场板层，金属阳极层与终端多晶硅场板层、沟槽氧化层、沟槽氧化层内的沟槽多晶硅以及沟槽外P+杂质层连接。本发明有正向压降低、恢复时间短、UIS能力高、软恢复特性好的特点，便于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 恢复 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽式快恢复二极管，其特征在于：包括依次相连接的金属阴极层(13)、N+型衬底层(12)和N‑型外延层(11)，其特征在于：所述的N‑型外延层(11)上部具有场氧化层(1)，在场氧化层(1)的有源区窗口内间隔设有三个以上沟槽氧化层(5)和位于两沟槽氧化层(5)之间的沟槽外注入区，所述的沟槽氧化层(5)具有内凹的空腔,沟槽氧化层(5)的空腔内填有沟槽多晶硅(4)，且各沟槽氧化层(5)的底部与沟槽P+型杂质层(6)相连，且沟槽P+型杂质层(6)嵌在N‑型外延层(11)内；所述的沟槽外注入区具有依次相连用于电阻率调节的N型杂质电荷积累层(9)、沟槽外P型杂质层(8)和上部用于连接金属阳极层(10)的沟槽外P+杂质层(7)，N型杂质电荷积累层(9)不超出沟槽氧化层(5)的底部；所述在场氧化层(1)有源区窗口外的终端区内具有终端P型杂质层(3)，且终端P型杂质层(3)与有源区窗口内的沟槽氧化层(5)相接，场氧化层(1)的上部具有终端多晶硅场板层(2)，金属阳极层(10)与终端多晶硅场板层(2)相连，金属阳极层(10)穿过场氧化层(1)有源区窗口形成的电极孔与沟槽氧化层(5)、沟槽氧化层(5)内的沟槽多晶硅(4)以及沟槽外P+杂质层(7)连接。
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