[发明专利]一种光控型可调太赫兹波衰减器及其使用方法在审
| 申请号： | 201410790152.6 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN104407453A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 王昌雷;武帅 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230001 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种光控型可调太赫兹波衰减器。该衰减器包括硅基-硅基-氧化钒薄膜(1)、激光发射器(2)、球面准直透镜(3)，所述硅基-二氧化钒薄膜(1)垂直于太赫兹波束方向，激光发射器(2)设置在硅基-二氧化钒薄膜(1)一侧，激光发射器(2)与准直器(3)相连，激光发射器(2)发出的激光从准直器(3)射出，照射在硅基-氧化钒薄膜(1)的膜面上，并且照射在硅基-氧化钒薄膜(1)的膜面上的激光光斑完全覆盖透射的太赫兹波斑。本发明还公开一种光控型可调太赫兹波衰减器的使用方法。本发明的优点在于：结构简单，易与现有的各类太赫兹波发射源集成，衰减的调节速度快，易控制，主要运用于太赫兹波应用技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光控 可调 赫兹 衰减器 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
一种光控型可调太赫兹波衰减器，其特征在于：包括硅基‑硅基‑氧化钒薄膜(1)、激光发射器(2)、球面准直透镜(3)，所述硅基‑二氧化钒薄膜(1)垂直于太赫兹波束方向，激光发射器(2)设置在硅基‑二氧化钒薄膜(1)一侧，激光发射器(2)与准直器(3)相连，激光发射器(2)发出的激光从准直器(3)射出，照射在硅基‑氧化钒薄膜1的膜面上，并且照射在硅基‑氧化钒薄膜1的膜面上的激光光斑完全覆盖透射的太赫兹波斑。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第三十八研究所，未经中国电子科技集团公司第三十八研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410790152.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：液晶显示模组及其加工方法
- 下一篇：一种保健鞋垫
