[发明专利]集成电路及其制造方法在审
| 申请号： | 201410790417.2 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN104752419A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 钟元甫;胡楚威;钟元鸿 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 张金芝;代峰 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种集成电路及其制造方法。集成电路包括：第一多晶硅区形成在一基底上，具有第一晶粒尺寸；以及第二多晶硅区形成在该基底上，具有与该第一晶粒尺寸不同的第二晶粒尺寸。本发明所公开的集成电路及其制造方法，可以有效地改善由激光快速热退火工序所引发的多晶硅电阻器之间的电阻值不匹配的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路，其特征在于，包括：第一多晶硅区形成在一基底上，具有第一晶粒尺寸；以及第二多晶硅区形成在该基底上，具有与该第一晶粒尺寸不同的第二晶粒尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
