[发明专利]晶体管的形成方法在审
| 申请号： | 201410790512.2 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN105762079A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 刘佳磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成伪栅结构，所述伪栅结构包括：位于半导体衬底表面的伪栅介质层和位于所述伪栅介质层表面的伪栅极；在所述伪栅结构两侧的半导体衬底内形成源漏区；在所述半导体衬底上形成介质层，所述介质层的表面与伪栅结构表面齐平，且覆盖伪栅结构的侧壁，所述介质层的材料与伪栅介质层的材料不同；去除所述伪栅极，形成凹槽；采用湿法刻蚀工艺去除所述凹槽底部的伪栅介质层，所述湿法刻蚀工艺中，所述伪栅介质层的刻蚀速率大于介质层的刻蚀速率；在所述凹槽内形成栅介质层和位于所述栅介质层表面的栅极。所述方法可以提高形成的晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成伪栅结构，所述伪栅结构包括：位于半导体衬底表面的伪栅介质层和位于所述伪栅介质层表面的伪栅极；在所述伪栅结构两侧的半导体衬底内形成源漏区；在所述半导体衬底上形成介质层，所述介质层的表面与伪栅结构表面齐平，且覆盖伪栅结构的侧壁，所述介质层的材料与伪栅介质层的材料不同；去除所述伪栅极，形成凹槽；采用湿法刻蚀工艺去除所述凹槽底部的伪栅介质层，所述湿法刻蚀工艺中，所述伪栅介质层的刻蚀速率大于介质层的刻蚀速率；在所述凹槽内形成栅介质层和位于所述栅介质层表面的栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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