[发明专利]晶体硅纳米孔阵列材料及其制备方法

摘要

本发明晶体硅纳米孔阵列材料及其制备方法，具体指一种工艺简单、具有大面积的、周期性的纳米尺寸的空阵列晶体硅材料的制备技术，涉及周期性纳米结构半导体器件制备技术领域。材料为厚度400～500μm，单面抛光的晶体硅，纳米孔径为200～500nm,孔径间距500nm，空洞深度可控范围500～1500nm。包括准备晶体硅预刻蚀样品，制备单层聚苯乙烯纳米球，缩小聚苯乙烯纳米球尺寸，沉积金属镍，去除聚苯乙烯纳米球和刻蚀硅片，去除金属镍，去离子水冲净，然后用N2吹干等步骤。本发明通过自组装单层聚苯乙烯纳米球制备金属镍膜，以此为掩膜用于反应离子刻蚀。相较电化学腐蚀，得到孔径更规则统一，可保证大面积周期性等优点。

主权项

一种晶体硅周期性纳米孔阵列材料，其特征在于，包含基于晶体硅衬底，厚度为400～500nm，单面抛光，结合纳米球光刻与反应离子刻蚀在硅片抛光面制备纳米孔阵列。