[发明专利]一种在基片水平方向可控生长碳纳米管束的方法

摘要

本发明公开了一种在基片水平方向可控生长碳纳米管束的方法，属于纳米材料制备技术领域。该方法包括如下步骤：（1）在基片表面加工出水平方向的微纳通道；（2）在微纳通道底部的一端沉积催化膜，并对其进行图形化；（3）沉积满牺牲层；（4）沉积掩模层，并在微纳通道底部另一端的顶部掩模层上刻蚀出与微纳通道连通的通气孔，除去牺牲层，形成半封闭式微纳通道；（5）在半封闭式微纳通道内生长碳纳米管束；（6）除去掩模层、通气孔中的碳纳米管及其碳纳米管束四周的基片，即在基片水平方向得到与微纳通道尺寸一致的碳纳米管束。其优点是：在基片水平方向上可获得取向、尺寸、位置精确可控的碳纳米管束；工艺过程简单，易于实现，用途广泛。

主权项

一种在基片水平方向可控生长碳纳米管束的方法，其特征在于包括如下步骤：（1）采用光刻和刻蚀工艺在基片表面加工出水平方向的微纳通道；（2）采用薄膜沉积工艺和光刻工艺在步骤（1）加工出的微纳通道底部的一端沉积催化膜，并对其进行图形化；（3）在经步骤（2）沉积催化膜后的微纳通道中沉积满牺牲层；（4）采用薄膜沉积工艺在步骤（3）沉积的牺牲层表面沉积掩模层，接着在掩模层上刻蚀出与微纳通道连通的通气孔，并除去牺牲层，形成半封闭式微纳通道；所述通气孔位于微纳通道底部另一端的顶部；（5）采用化学气相沉积工艺在步骤（4）制备的半封闭式微纳通道内生长碳纳米管束；（6）依次采用研磨、化学机械抛光工艺除去步骤（5）生长的碳纳米管束上方的掩模层和通气孔中的碳纳米管，采用刻蚀工艺去除碳纳米管束四周的基片，即在基片水平方向得到与微纳通道尺寸一致的碳纳米管束。