[发明专利]一种硅异质结太阳能电池及其制作方法在审
| 申请号： | 201410795001.X | 申请日： | 2014-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN105789341A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张树旺;李宝胜;蔡明;雒哲廷;任明冲;徐湛;李立伟;郭铁 | 申请（专利权）人： | 新奥光伏能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 065001 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种硅异质结太阳能电池及其制作方法。该方法包括：在电池基片用于制作背电极层的表面沉积导电氧化物层；在所述导电氧化物层的表面沉积联接金属层，所述联接金属层与所述导电氧化物层之间的附着力大于银膜层与所述导电氧化物层之间的附着力；在所述联接金属层的表面沉积银膜层。联接金属层与导电氧化层物的之间的附着力大于银膜层与导电氧化物层之间的附着力，因此，较之直接制作在导电氧化物层上的银膜层，使得联接金属层不易脱落，且联接金属层与银膜层均为金属结构，银膜层与联接金属层之间的附着力较强，从而使得银膜层不易脱落。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅异质结 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种硅异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：在电池基片用于制作背电极层的表面沉积导电氧化物层；在所述导电氧化物层的表面沉积联接金属层，所述联接金属层与所述导电氧化物层之间的附着力大于银膜层与所述导电氧化物层之间的附着力；在所述联接金属层的表面沉积银膜层。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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