[发明专利]图像传感器器件及其制造方法和半导体器件制造方法在审
申请号: | 201410795045.2 | 申请日: | 2014-12-18 |
公开(公告)号: | CN104733486A | 公开(公告)日: | 2015-06-24 |
发明(设计)人: | 陈愉婷;蔡纾婷;陈思莹;林政贤;杨敦年;刘人诚 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/528;H01L21/60 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了图像传感器器件及其制造方法以及半导体器件制造方法。在一些实施例中,制造半导体器件的方法包括将第一半导体晶圆接合至第二半导体晶圆,第一半导体晶圆包括衬底和连接至衬底的互连结构。该方法包括从第一半导体晶圆去除衬底的部分以暴露互连结构的部分。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 器件 及其 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种制造半导体器件的方法,所述方法包括:将第一半导体晶圆接合至第二半导体晶圆,所述第一半导体晶圆包括衬底和连接至所述衬底的互连结构;以及从所述第一半导体晶圆去除所述衬底的部分以暴露所述互连结构的部分;其中,去除所述衬底的所述部分包括从所述互连结构的接触焊盘上方去除所述部分,所述接触焊盘的顶面完全暴露于外部;其中,所述衬底包括第一衬底,所述互连结构包括第一互连结构,所述第二半导体晶圆包括第二衬底和设置在所述第二衬底上方的第二互连结构,并且,将所述第一半导体晶圆接合至所述第二半导体晶圆包括将所述第一互连结构接合至所述第二互连结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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