[发明专利]图像传感器器件及其制造方法和半导体器件制造方法在审

专利信息
申请号: 201410795045.2 申请日: 2014-12-18
公开(公告)号: CN104733486A 公开(公告)日: 2015-06-24
发明(设计)人: 陈愉婷;蔡纾婷;陈思莹;林政贤;杨敦年;刘人诚 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L23/528;H01L21/60
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明公开了图像传感器器件及其制造方法以及半导体器件制造方法。在一些实施例中,制造半导体器件的方法包括将第一半导体晶圆接合至第二半导体晶圆,第一半导体晶圆包括衬底和连接至衬底的互连结构。该方法包括从第一半导体晶圆去除衬底的部分以暴露互连结构的部分。
搜索关键词: 图像传感器 器件 及其 制造 方法 半导体器件
【主权项】:
1.一种制造半导体器件的方法,所述方法包括:将第一半导体晶圆接合至第二半导体晶圆,所述第一半导体晶圆包括衬底和连接至所述衬底的互连结构;以及从所述第一半导体晶圆去除所述衬底的部分以暴露所述互连结构的部分;其中,去除所述衬底的所述部分包括从所述互连结构的接触焊盘上方去除所述部分,所述接触焊盘的顶面完全暴露于外部;其中,所述衬底包括第一衬底,所述互连结构包括第一互连结构,所述第二半导体晶圆包括第二衬底和设置在所述第二衬底上方的第二互连结构,并且,将所述第一半导体晶圆接合至所述第二半导体晶圆包括将所述第一互连结构接合至所述第二互连结构。
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