[发明专利]负电子亲和势冷阴极X射线管有效
| 申请号： | 201410795969.2 | 申请日： | 2014-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN104599926A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 王旺平;马建一;申屠军 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01J35/06 | 分类号： | H01J35/06;H01J35/16 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明为一种负电子亲和势冷阴极X射线管，其特征在于：冷阴极由电发射型的负电子亲和势冷阴极构成，其中冷阴极材料含有P-N结，无须外加光源即可产生真空电子发射；X射线管靶材位于管壳阳极；冷阴极和阳极靶材采用冷铟封接，整管真空度E-8Pa。优点：解决了传统光电阴极X射线源需要外置光源的缺点，X射线管结构紧凑，使用方便，束流稳定。相比场致发射阴极X射线管，本发明的X射线管冷阴极为大面积半导体外延片，没有场致阴极的多个微尖，因而X射线分辨率高、均匀性好。本发明适用于所有表面可形成负电子亲和势的半导体材料，并不仅仅针对GaAs，也适用于GaAsP、InGaAs、AlGaN、GaN等多种光电阴极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 负电子 亲和 阴极 射线 | ||
【主权项】：
一种负电子亲和势冷阴极X射线管，其特征在于：冷阴极由电发射型的负电子亲和势冷阴极构成，其中冷阴极材料为含有P‑N结的负电子亲和势材料，无须外加光源，在P‑N结电压大于结内建电压时即可产生阴极电子发射；X射线管靶材位于管壳阳极；冷阴极和阳极靶材采用冷铟封接，整管真空度E‑8Pa。
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