[发明专利]一种采用CSD工艺制备肖特基二极管P+型扩散保护环的方法在审
| 申请号： | 201410797250.2 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104505345A | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 谭德喜;巨峰峰;姚伟明;付国振;杨勇;李怀辉 | 申请（专利权）人： | 扬州国宇电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/223 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司11275 | 代理人： | 刘宪池 |
| 地址： | 225101江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种采用CSD工艺制备肖特基二极管P+型扩散保护环的方法，步骤包括旋转涂覆：在通过刻蚀制作好保护环P+沟槽后的晶圆上，使用旋转涂覆法使晶圆上覆盖一层带有硼掺杂剂的B30液态源并烘干，涂覆厚度在3000～6000埃；预扩散在氮气气氛高温炉中预扩散，温度900～1100摄氏度，时间30～120分钟；清洗氢氟酸溶液清洗，将晶圆表面的氧化层和残余有机物漂净；再扩散在氮气气氛的900～1100摄氏度的高温炉中，加热30～120分钟推进；降温至700～900摄氏度，在氧气和氢气氛围下反应150～200分钟，在P+保护环沟槽的晶圆表面形成氧化层。CSD工艺生产成本低，产能高，提高了产品竞争性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 csd 工艺 制备 肖特基 二极管 扩散 保护环 方法 | ||
【主权项】：
一种采用CSD工艺制备肖特基二极管P+型扩散保护环的方法，其特征在于步骤包括：1旋转涂覆：在通过刻蚀制作好保护环P+沟槽后的晶圆上，使用旋转涂覆法使晶圆上覆盖一层带有硼掺杂剂的B30液态源，并烘干，烘干后涂覆厚度在3000～6000埃；2预扩散：在氮气气氛的高温炉中进行预扩散，预扩散温度900～1100摄氏度，预扩散时间30～120分钟；3清洗：氢氟酸溶液清洗5～10分钟，将晶圆表面的氧化层和残余有机物漂净；4再扩散：在氮气气氛的900～1100摄氏度的高温炉中，加热30～120分钟进行进一步推进；然后降温至700～900摄氏度，在氧气和氢气氛围下进行湿氧反应150～200分钟，在P+保护环沟槽的晶圆表面形成氧化层。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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