[发明专利]一种通过掺杂二氧化硅膜调整肖特基二极管势垒高度的工艺方法

摘要

一种通过掺杂二氧化硅膜调整肖特基二极管势垒高度的工艺方法，其步骤包括以包括有N型单晶硅衬底和N型单晶硅外延层基片为材质，在N型单晶硅外延层上形成氧化层作为钝化层，其厚度大于400纳米；一次光刻形成掺杂窗口；采用离子注入工艺在掺杂窗口中进行硼掺杂，同时生长膜氧化层形成P型保护环；二次光刻形成肖特基势垒窗口主表面；在肖特基势垒窗口主表面淀积形成表面厚度为50～300纳米的掺杂二化硅膜的氧化层，在氮气气氛下快速退火将掺杂二氧化硅中的杂质向N型单晶硅外延层中推进在掺杂二氧化硅的氧化层与N型外延层主表面之间形成极薄变掺杂层。通过极薄变掺杂层，降低势垒高度。

主权项

一种通过掺杂二氧化硅膜调整肖特基二极管势垒高度的工艺方法，其步骤包括：以包括有N型单晶硅衬底和N型单晶硅外延层基片为材质，1、在基片的N型单晶硅外延层上形成氧化层作为钝化层，氧化层厚度大于400纳米；2、一次光刻及选择性腐蚀去除多余氧化层形成掺杂窗口；3、采用离子注入工艺在掺杂窗口中进行硼掺杂，同时在掺杂窗口中生长膜氧化层形成P型保护环；4、二次光刻和选择性腐蚀去除多余氧化层形成肖特基势垒窗口主表面；5、在肖特基势垒窗口主表面淀积形成表面掺杂二氧化硅膜的氧化层，厚度为50～300纳米，掺杂浓度为1E18至1E21个/cm3，掺杂源是乙硼烷或磷烷气氛，工艺气氛为掺杂源与硅烷与氧气的混合气氛，工艺温度350～600摄氏度；6、在氮气气氛下快速退火将掺杂二氧化硅中的杂质向N型单晶硅外延层中推进，退火温度500～800摄氏度，退火时间5～15秒，在掺杂二氧化硅的氧化层与N型外延层主表面之间形成极薄变掺杂层。