[发明专利]一种放电管在审
申请号: | 201410797530.3 | 申请日: | 2014-12-18 |
公开(公告)号: | CN104465739A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 陈林;刘志雄 | 申请(专利权)人: | 常熟市聚芯半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/74 | 分类号: | H01L29/74;H01L29/08 |
代理公司: | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人: | 朱林 |
地址: | 215500 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种放电管,包括双面对称的基区P1、P2,基区P1里面扩散有发射区N1,发射区N1上分布有多个短路点,基区P2里面扩散有发射区N2,发射区N2上分布有多个短路点,发射区N1上分布有多个短路点与发射区N2上分布有多个短路点交错分布;正向导通时,发射区N1上分布的短路点不工作,发射区N2上分布的短路点作为基区工作;反向导通时,发射区N2上的短路点不工作,发射区N1上的短路点作为基区工作;本发明的放电管具有良好的防雷击效果,能有效将防雷击效果提高25%以上。 | ||
搜索关键词: | 一种 放电 | ||
【主权项】:
一种放电管,包括双面对称的基区P1、P2,基区P1里面扩散有发射区N1,发射区N1上分布有多个短路点,基区P2里面扩散有发射区N2,发射区N2上分布有多个短路点,其特征在于:发射区N1上分布有多个短路点与发射区N2上分布有多个短路点交错分布;正向导通时,发射区N1上分布的短路点不工作,发射区N2上分布的短路点作为基区工作;反向导通时,发射区N2上的短路点不工作,发射区N1上的短路点作为基区工作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常熟市聚芯半导体科技有限公司,未经常熟市聚芯半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410797530.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置
- 下一篇:高转移特性低寄生电容内嵌栅绝缘隧穿增强晶体管
- 同类专利
- 专利分类