[发明专利]高动态范围图像传感器像素结构及其操作方法在审
| 申请号： | 201410797654.1 | 申请日： | 2014-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN104469195A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 郭同辉;旷章曲 | 申请（专利权）人： | 北京思比科微电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/369 | 分类号： | H04N5/369;H04N5/355 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;赵镇勇 |
| 地址： | 100085 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高动态范围图像传感器像素结构及其操作方法，像素结构包括光电二极管、复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管、漂浮有源区，还包括第一电荷传输晶体管、第二电荷传输晶体管、第三电荷传输晶体管，以及置于第二电荷传输晶体管与第三电荷传输晶体管之间的晶体管电容器件。像素采用两次曝光方式采集光电信号，第一次长时间曝光方式采集的光电电荷，被转移到晶体管电容器件中储存起来，第二次短时间曝光方式采集的光电电荷和在晶体管电容器件中储存的光电电荷一同转移到漂浮有源区，然后进行光电信号读取操作。因此，本发明扩展了图像传感器的感光动态范围。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 范围 图像传感器 像素 结构 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种高动态范围图像传感器像素结构，包括置于半导体基体中的光电二极管、复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管、漂浮有源区，其特征在于，还包括第一电荷传输晶体管、第二电荷传输晶体管、第三电荷传输晶体管、以及置于第二电荷传输晶体管与第三电荷传输晶体管之间的晶体管电容器件；所述第一电荷传输晶体管的源极与光电二极管相连，其漏极与漂浮有源区相连；所述第二电荷传输晶体管的源极与光电二极管相连，其漏极与第三电荷传输晶体管的源极相连；所述第三电荷传输晶体管的漏极与漂浮有源区相连；所述晶体管电容器件的源漏极相互连接在一起，并且与第二电荷传输晶体管的漏极相连。
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