[发明专利]低漂移电压基准在审
| 申请号： | 201410797934.2 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104731158A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | S·马里恩卡 | 申请（专利权）人： | 亚德诺半导体集团 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 百慕大群岛(*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 本发明涉及低漂移电压基准。提供用于提供电压基准电路的电路和方法，该电路包括随着时间的低漂移和更低的工作电压。通常，期望基准电路提供随时间的准确和精确的基准。描述的电压基准电路可以提供良好的长期稳定性、以比之前设计较低电压运行、由于处理变化和不匹配具有降低可变性的一致输出电压、基准电压中的低噪音以及其他优势。 | ||
| 搜索关键词： | 漂移 电压 基准 | ||
【主权项】：
一种包括耦合至电路元件的齐纳二极管的电压基准电路，所述电路元件经配置以生成负基极‑发射极电压差ΔVbe组件，负ΔVbe组件补偿所述齐纳二极管的正温度系数的响应特性，以在电压基准电路的输出提供电压基准。
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