[发明专利]铜锌锡硫太阳能电池的制备方法有效
| 申请号： | 201410798196.3 | 申请日： | 2014-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN104576827A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 刘萍 | 申请（专利权）人： | 深圳丹邦投资集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 杨洪龙 |
| 地址： | 518057 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铜锌锡硫太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：在衬底层表面形成铝薄膜；在所述铝箔膜表面上形成ZnO薄膜；在所述ZnO薄膜上形成薄膜层，所述薄膜层包含铜、锌和锡；将包含所述衬底层、铝箔膜、ZnO薄膜和薄膜层的多层薄膜结构置于含硫气氛中退火处理，所述薄膜层被硫化形成铜锌锡硫薄膜层，部分所述ZnO薄膜被硫化形成ZnS缓冲层；在经过退火处理的所述薄膜层上形成背电极。 | ||
| 搜索关键词： | 铜锌锡硫 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铜锌锡硫太阳能电池的制备方法，其特征是，包括如下步骤：在衬底层表面形成铝薄膜；在所述铝箔膜表面上形成ZnO薄膜；在所述ZnO薄膜上形成薄膜层，所述薄膜层包含铜、锌和锡；将包含所述衬底层、铝箔膜、ZnO薄膜和薄膜层的多层薄膜结构置于含硫气氛中退火处理，所述薄膜层被硫化形成铜锌锡硫薄膜层，部分所述ZnO薄膜被硫化形成ZnS缓冲层；在经过退火处理的所述薄膜层上形成背电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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