[发明专利]一种硅料清洗方法

摘要

本发明公开的一种硅料清洗方法，包括预清洗、喷砂、清洁、超声清洗、漂洗以及烘干这六个步骤。本发明的一种硅料清洗方法解决了现有的化学清洗方法存在的清洗品质不稳定以及清洗成本高的缺点。1.本发明采用的先喷砂，然后使用纯水清洗；本行业中硅料一直使用酸洗，本发明克服了酸洗的技术偏见，清洗后的硅料完全清除了硅料表层的杂质和污物，满足制作太阳能级单晶硅对硅料洁净度的要求；2.清洗过程使用的是纯水，清洗后的废水无化学试剂，可直接排放，减少环境污染；3.硅料整块清洗，避免清洗前破碎所导致的硅料损耗及挑拣所需的人工成本，提高硅料利用率；4.操作流程简单，可管控性强，有效提高硅料清洗品质。

主权项

1.一种硅料清洗方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤1)，预清洗，将硅料表面的非硅物质清除；步骤2)，对经过步骤1)处理的硅料表面进行喷砂；步骤3)，清洁，将步骤2)中的硅料表面残留的灰尘杂物擦洗干净；步骤4)，将步骤3)中擦洗过的硅料放置在注有纯水的超声机内进行超声清洗，所述纯水电阻率不小于12MΩ·cm，超声清洗时间为10min‑15min，温度为40℃‑70℃；步骤5)，将步骤4)中经过超声清洗的硅料放入旋转机内进行纯水清洗，所述纯水电阻率不小于12MΩ·cm，所述清洗方式为旋转清洗，清洗时间为2min‑10min，且正转反转各1min‑5min，清洗温度为20℃‑50℃；步骤6)，烘干，将步骤5)中经过纯水清洗后的硅料放入烘箱中进行烘干，即完成硅料清洗过程。