[发明专利]一种同位素温差电池壁面低温控制方法在审
申请号: | 201410798825.2 | 申请日: | 2014-12-19 |
公开(公告)号: | CN105761772A | 公开(公告)日: | 2016-07-13 |
发明(设计)人: | 陈媛媛 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
主分类号: | G21H1/10 | 分类号: | G21H1/10;F28D15/00 |
代理公司: | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人: | 李凤 |
地址: | 300384 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种同位素温差电池壁面低温控制方法。本发明属于同位素温差电池技术领域。一种同位素温差电池壁面低温控制方法,其特点是:同位素温差电池壁面低温控制,采用与同位素温差表面换热面贴合装置换热方法,贴合装置与以液体为介质的恒温循环器连接,利用循环器内循环流动的冷态介质排散同位素温差多余的热量。本发明具有温度控制准确,易于调节,安全可靠,而且制作成本大大降低,降低电池壁面温度速度更快等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 同位素 温差 电池 低温 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种同位素温差电池壁面低温控制方法,其特征是:同位素温差电池壁面低温控制,采用与同位素温差表面换热面贴合装置换热方法,贴合装置与以液体为介质的恒温循环器连接,利用循环器内循环流动的冷态介质排散同位素温差多余的热量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十八研究所,未经中国电子科技集团公司第十八研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410798825.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种抗压扁平电缆
- 下一篇:随机存取存储器的测试方法及装置