[发明专利]具有埋置沟道区/体区的半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410799027.1 | 申请日： | 2014-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN104752509A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | S·特根;M·勒姆克;R·威斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体器件包括第一导电类型的源区，其被形成在第一电极鳍中，该第一电极鳍从第一表面延伸进入半导体部分之中。第一导电类型的漏区被形成在第二电极鳍中，该第二电极鳍从第一表面延伸进入半导体部分之中。沟道区/体区被形成在晶体管鳍中，该晶体管鳍在距第一表面一定距离处在第一电极鳍和第二电极鳍之间延伸。该第一电极鳍和第二电极鳍沿着第一横向方向延伸。沿着垂直与第一横向方向的第二横向方向被布置在晶体管鳍的相对侧面上的第一栅极部分的宽度大于第一电极鳍和第二电极鳍之间的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟道 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一导电类型的源区，其被形成在第一电极鳍中，所述第一电极鳍从第一表面延伸进入半导体部分之中；第一导电类型的漏区，其被形成在第二电极鳍中，所述第二电极鳍从所述第一表面延伸进入所述半导体部分之中；以及沟道区/体区，其被形成在晶体管鳍中，所述晶体管鳍在距所述第一表面一定距离处在所述第一电极鳍和所述第二电极鳍之间延伸，其中所述第一电极鳍和所述第二电极鳍沿第一横向方向延伸，其中沿着垂直于所述第一横向方向的第二横向方向被布置在所述晶体管鳍的相对侧上的第一栅极部分的宽度大于所述第一电极鳍和所述第二电极鳍之间的距离。
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