[发明专利]一种细节距钎料柱凸点互连结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种细节距钎料柱凸点互连结构及其制备方法，属于微电子先进封装技术领域。该结构特征是芯片表面的钎料柱凸点包括凸点下金属层、钎料柱以及钎料柱顶部的钎料球，钎料柱的熔点高于钎料球。形成该结构的一个方法是在芯片晶圆表面的金属焊盘上溅射粘附层和种子层；涂胶、曝光、显影，形成凸点开口图案；然后电镀钎料柱至一定高度，通过印刷钎料膏或真空液态钎料填充低熔点钎料层至一定高度；之后去除厚光刻胶层；回流形成钎料柱凸点；以凸点为掩模刻蚀凸点下金属层。本发明形成的细节距凸点具有熔点低的特性，可以在低温下倒装回流，同时由于钎料柱比金属凸点柱具有更好的塑性和延展性，倒装回流工艺形成的焊点结构具有较低应力，有利于改善Cu?low-K芯片可靠性，同时在凸点材料选择方面具有很大灵活性。

主权项

一种细节距钎料柱凸点互连结构，其特征在于：该结构包括一个芯片基底(1)，芯片基底(1)上部至少有一个钎料柱凸点，钎料柱凸点包括钎料柱(6)、钎料球(8)和凸点下金属层(4)，钎料球(8)与钎料柱(6)顶部相连，凸点下金属层(4)与钎料柱(6)底部连接，芯片基底(1)顶部连接有金属焊盘(2)，凸点下金属层(4)下部与金属焊盘(2)连接；钎料柱(6)的熔点高于200度，高度大于5微米，钎料球(8)熔点小于180度，形成钎料球(8)的回流温度不高于200度。