[发明专利]金属栅极结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410800258.X | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN105355652B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 何伟硕;江宗育;陈光鑫 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体结构，包括：衬底，衬底包括第一有源区、第二有源区以及设置在第一有源区和第二有源区之间的隔离件；多个栅极，设置在衬底上方并且包括延伸在第一有源区、隔离件和第二有源区上方的第一栅极以及位于第一有源区和第二有源区上方的第二栅极；以及层间电介质(ILD)，设置在衬底上方并且围绕多个栅极，其中，第二栅极配置为不传导电流并且包括设置在第一有源区上方的第一部分和设置在第二有源区上方的第二部分，ILD的部分设置在第一部分和第二部分之间。本发明还涉及金属栅极结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：衬底，包括第一有源区、第二有源区以及设置在所述第一有源区和所述第二有源区之间的隔离件；多个栅极，设置在所述衬底上方并且包括：第一栅极，连续地延伸在所述第一有源区、所述隔离件和所述第二有源区上方；以及第二栅极，位于所述第一有源区和所述第二有源区上方；以及层间电介质(ILD)，设置在所述衬底上方并且围绕所述多个栅极，其中，所述第二栅极配置为不传导电流并且包括设置在所述第一有源区上方的第一部分和设置在所述第二有源区上方的第二部分，部分所述层间电介质设置在所述第一部分和所述第二部分之间。
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