[发明专利]一种实验室生产硅锗核壳结构纳米颗粒的方法和设备有效

专利信息
申请号: 201410800459.X 申请日: 2014-12-22
公开(公告)号: CN104555909A 公开(公告)日: 2015-04-29
发明(设计)人: 郑灵浪;高志飞;骆中伟 申请(专利权)人: 郑灵浪;高志飞;骆中伟
主分类号: B82B3/00 分类号: B82B3/00;B82Y40/00
代理公司: 武汉帅丞知识产权代理有限公司 42220 代理人: 朱必武;沈小川
地址: 201804 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及硅锗核壳结构纳米颗粒的生产方法及生产设备领域,特涉及一种实验室生产硅锗核壳结构纳米颗粒的方法和设备。本发明的方法采用气相法制备硅锗核壳结构的纳米颗粒,该方法具有产生纳米颗粒速度快,纳米颗粒的大小可控的特点。本发明的生产硅锗核壳结构纳米颗粒的设备包括小型玻璃管和大型玻璃管,小型玻璃管设有第一负极和第一正极,大型玻璃管设有内管和第二正极,内管设有第二负极。该设备实现了等离子体的均匀分布,有利于生成尺寸分布窄的纳米颗粒。本装置具有纳米颗粒分散好,纳米颗粒表面均匀包覆等特点。
搜索关键词: 一种 实验室 生产 硅锗核壳 结构 纳米 颗粒 方法 设备
【主权项】:
一种实验室生产硅锗核壳结构纳米颗粒的方法,其特征在于:步骤一、给系统抽真空,真空度达到10帕以下,按1:40到1:60之间的比率输入GeH4和Ar气体,根据所需产生纳米粒径大小调节气压,混合气体在射频等离子体中产生氩气等离子体,氩气等离子体会撞击锗烷分子,使锗烷分子裂解而形成锗的晶核,进而锗晶核再长大会生成锗纳米颗粒;步骤二、按1:50到1:70之间的比率输入SiH4和Ar气体,并使氩气在射频功率的激发下,而形成氩气等离子体,氩气等离子体撞击硅烷气体使硅烷气体裂解;步骤三、硅烷气体裂解后与在步骤一中的锗纳米颗粒表面生成一层硅薄膜覆盖在锗纳米颗粒表面,形成硅包覆锗的纳米颗粒。
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