[发明专利]散热好的电子芯片在审
| 申请号： | 201410801332.X | 申请日： | 2014-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN104485314A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 林蔡月琴 | 申请（专利权）人： | 永新电子常熟有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京瑞思知识产权代理事务所(普通合伙) 11341 | 代理人： | 袁红红 |
| 地址： | 215500 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种散热好的电子芯片，所述的散热好的电子芯片包括最上层的工程塑料层、中间层的促进剂和最下层的金属氧化物半导体层组合而成，所述工程塑料层为聚碳酸酯，所述金属氧化物半导体层为砷化镓，所述的工程塑料层占散热好的电子芯片总体分量的24%-29%，所述的促进剂占散热好的电子芯片总体分量的2%-4%，所述的金属氧化物半导体层占散热好的电子芯片总体分量的65%-75%。本发明提供一种散热好的电子芯片，具有抗电性、耐燃性、耐候性和散热性好的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 散热 电子 芯片 | ||
【主权项】：
一种散热好的电子芯片，其特征在于：所述的散热好的电子芯片包括最上层的工程塑料层、中间层的促进剂和最下层的金属氧化物半导体层组合而成，所述工程塑料层为聚碳酸酯，所述金属氧化物半导体层为砷化镓，所述的工程塑料层占散热好的电子芯片总体分量的24%‑29%，所述的促进剂占散热好的电子芯片总体分量的2%‑4%，所述的金属氧化物半导体层占散热好的电子芯片总体分量的65%‑75%。
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