[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底内具有若干有源区，相邻有源区之间具有隔离结构，部分有源区的衬底表面具有栅极结构，栅极结构两侧分别具有源区和漏区；在有源区、隔离结构和栅极结构表面形成第一介质层；去除隔离结构上方的部分第一介质层，在第一介质层内形成初始通孔；在初始通孔的侧壁表面形成保护层；之后去除初始通孔底部的第一介质层，在第一介质层内形成第一通孔；在第一通孔内形成第二介质层；之后去除第一介质层，在栅极结构两侧分别形成第二通孔和源线沟槽；在第二通孔内形成漏极导电结构，在源线沟槽内形成源线导电结构。所形成的半导体结构的形貌良好、性能稳定。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内具有若干有源区，相邻有源区之间具有隔离结构，部分有源区的衬底表面具有栅极结构，所述栅极结构两侧分别具有暴露出的有源区衬底表面和隔离结构表面的源区沟槽和漏区沟槽，所述漏区沟槽底部的衬底内具有漏区，所述源区沟槽底部的衬底内具有源区；在所述有源区、隔离结构和栅极结构表面形成第一介质层；去除所述漏区沟槽内的部分第一介质层，在所述第一介质层内形成初始通孔，所述初始通孔位于所述隔离结构上方；在所述初始通孔的侧壁表面形成保护层；在形成所述保护层之后，去除所述初始通孔底部的第一介质层，直至暴露出所述隔离结构表面为止，在第一介质层内形成第一通孔；在所述第一通孔内形成第二介质层，所述第二介质层表面高于或齐平于所述栅极结构的顶部表面；去除所述第一介质层，在所述栅极结构两侧分别形成第二通孔和源线沟槽，所述第二通孔暴露出漏区表面，所述源线沟槽暴露出源区和部分隔离结构表面，位于隔离结构两侧的第二通孔之间由所述第二介质层隔离；在所述第二通孔内形成漏极导电结构，在所述源线沟槽内形成源线导电结构。