[发明专利]一种集成旁路二极管的硅太阳电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种集成旁路二极管的硅太阳电池及其制备方法。本发明属于物理电源技术领域。一种集成旁路二极管的硅太阳电池，其结构为太阳电池组件的正负极间并联旁路二极管，在电池主体和旁路二极管间设有硼扩隔离环，在硼扩隔离环上设有氧化环进行保护，在氧化保护层上实现电极互联。一种集成旁路二极管的硅太阳电池的制备方法，工艺步骤：1.硅片氧化；2.隔离槽光刻；3.硼扩散；4.划槽；5.硅片氧化；6.二极管发射区光刻；7.深磷扩散；8.电池发射区光刻；9.浅磷扩散；10.硅片氧化；11.电极开口光刻；12.上电极蒸镀；13.下电极蒸镀；14.划片。本发明具有电池主区和旁路二极管进行物理隔离，效果明显，工艺难度低，产品空间运用稳定性和可靠性高等优点。

主权项

一种集成旁路二极管的硅太阳电池，其特征是：集成旁路二极管的硅太阳电池结构为太阳电池组件的正负极间并联旁路二极管，在电池主体和旁路二极管间设有硼扩隔离环，在硼扩隔离环上设有氧化环进行保护，在氧化保护层上电极互联。