[发明专利]包括电荷捕获层的非易失性存储装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201410803148.9 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104733464B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 金俊亨 | 申请（专利权）人： | SK新技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11568 | 分类号： | H01L27/11568;H01L21/02;H01L21/28;H01L29/423;H01L29/51;H01L21/336;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谢顺星;张晶 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种非易失性存储装置包括：用于捕获电荷的电荷捕获层，其中所述电荷捕获层包括：在衬底上形成的并且包括将结合到金属离子的连接基团的连接层；在连接层上由金属离子形成金属纳米粒子；以及填充金属纳米粒子之间的间隙的氮化物。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 电荷 捕获 非易失性 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储装置，其包含：适合捕获电荷的电荷捕获层，其中所述电荷捕获层包含：在衬底上方形成的连接层，其中所述连接层包括适合结合至金属离子的多重连接基团；金属性纳米粒子，其在所述连接层上方、由所述金属离子形成；以及覆盖所述金属性纳米粒子的氮化物；其中每个所述金属性纳米粒子通过结合到连接层的金属离子之间的还原和生长而形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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