[发明专利]硅基板的分断方法在审

专利信息
申请号: 201410803206.8 申请日: 2014-12-19
公开(公告)号: CN104952793A 公开(公告)日: 2015-09-30
发明(设计)人: 武田真和;村上健二;木山直哉;田村健太 申请(专利权)人: 三星钻石工业股份有限公司
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 沈锦华
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及硅基板的分断方法,课题为分断硅基板时提升端面的垂直性。在硅基板(20)的一面沿着分断预定线形成槽(21)。然后,从所述槽(21)的相反面沿着槽(21)而利用划线装置形成刻划线(S)。接着,翻转硅基板(20),从具有槽(21)的面起,沿着槽下降断裂杆(13)而使其断裂。这样,沿着刻划线的龟裂朝向槽深入,因此能将硅基板(20)完全地分断,从而可提升端面的精度。
搜索关键词: 硅基板 方法
【主权项】:
一种硅基板的分断方法,在所述硅基板的一面沿着分断预定线形成槽,从所述硅基板的未形成所述槽的面起,沿着与所述槽对应的线形成刻划线,沿着所述刻划线,将断裂杆抵压于所述硅基板的形成着槽的面而使其断裂,由此沿着刻划线进行分断。
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