[发明专利]集成电路及其形成方法有效
| 申请号： | 201410804457.8 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104733455B | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 赛特拉曼·西达尔 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请案涉及用以将LDMOS漏极延伸部与槽沟对准的方案。一种集成电路(200)含有延伸漏极MOS晶体管，其中扩散漏极(236)在所述漏极中的场氧化物元件(254)下方的深度比在栅极(260)下方的漂移区(248)中深。一种形成含有延伸漏极MOS晶体管的集成电路(200)的过程，其包含：蚀刻场氧化物硬掩模层以界定漏极场氧化物沟槽区域，穿过所述漏极场氧化物沟槽区域植入漏极掺杂剂，执行热漏极驱动及随后形成所述漏极场氧化物元件。一种形成含有延伸漏极MOS晶体管的集成电路的过程，其包含：蚀刻场氧化物硬掩模层以界定漏极场氧化物沟槽区域，在使用场氧化物光致抗蚀剂图案掩蔽漏极植入物的同时穿过所述漏极场氧化物沟槽区域植入漏极掺杂剂，执行热漏极驱动及随后形成所述漏极场氧化物元件。 | ||
| 搜索关键词： | 用以 ldmos 延伸 对准 方案 | ||
【主权项】：
1.一种含有延伸漏极金属氧化物半导体MOS晶体管的集成电路，其包括：漏极场氧化物元件，其在所述延伸漏极MOS晶体管的扩散漏极区中，使得所述扩散漏极区在所述漏极场氧化物元件下面从漏极接触区延伸，且连接到在所述延伸漏极MOS晶体管的栅极下方的漂移区；且所述扩散漏极区在所述漏极场氧化物元件下方从所述集成电路的衬底的顶部表面起的平均深度比所述扩散漏极区在所述漂移区及所述漏极接触区中的平均深度深至少50纳米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
