[发明专利]半导体生长用模板、基板分离方法及发光元件制造方法

摘要

本发明公开一种半导体生长用模板、基板分离方法及发光元件制造方法。所述半导体生长用模板包括：生长基板；种子层，位于所述生长基板上，并且包括一个以上的沟槽，其中，所述沟槽包括上部沟槽及下部沟槽，所述上部沟槽的宽度可小于所述下部沟槽的宽度。根据本发明，可利用应力剥离容易地从外延层分离生长基板。

主权项

1.一种基板分离方法，包括如下步骤：在生长基板上形成具有掩膜部及开口部并且包含生长防止层及位于所述生长防止层上的蚀刻层的掩膜图案，所述生长基板包括氮化物基板；形成从所述开口部的下面生长而部分地覆盖所述掩膜部的上面的种子层；至少部分地去除所述掩膜图案来形成一个以上的沟槽，以使所述生长防止层至少部分地残留在所述沟槽的下面之上；形成将所述种子层作为种子而生长的外延层，并且将所述沟槽的至少一部分形成为空洞；从所述外延层分离所述生长基板，所述种子层包括填充所述开口部的下部种子层及位于所述下部种子层上且部分地覆盖所述开口部的上面的上部种子层，还包括如下步骤：在部分地去除所述掩膜图案之后，部分地蚀刻因去除所述掩膜图案而被暴露的所述上部种子层的下表面，分离所述生长基板的步骤包括如下步骤：对所述生长基板与所述外延层之间施加应力。