[发明专利]一种小面积图形刻蚀深度的测量方法有效
申请号: | 201410805198.0 | 申请日: | 2014-12-23 |
公开(公告)号: | CN105789078B | 公开(公告)日: | 2018-07-03 |
发明(设计)人: | 苏瑞巩;缪小虎;李晓伟;时文华;熊敏;张宝顺 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 215123 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种小面积图形刻蚀深度的测量方法,包括:提供一参考样品,设置多个面积不同的刻蚀参考区并进行刻蚀,测量刻蚀参考区的刻蚀面积与刻蚀速度,建立刻蚀面积与刻蚀速度的模型;提供一刻蚀衬底,设置第一刻蚀图形和第二刻蚀图形;其中,第一刻蚀图形的面积大于第二刻蚀图形的面积;以相同的刻蚀工艺分别在第一刻蚀图形和第二刻蚀图形内刻蚀所述衬底;测量第一刻蚀图形的刻蚀深度并计算第一刻蚀图形的刻蚀速度;根据第一刻蚀图形的刻蚀速度及其面积前述的模型进行校正;根据校正后的刻蚀面积与刻蚀速度的模型计算第二刻蚀图形的刻蚀速度,并进一步计算得到第二刻蚀图形刻蚀深度。 | ||
搜索关键词: | 刻蚀 刻蚀图形 测量 面积图形 参考区 衬底 校正 参考样品 刻蚀工艺 模型计算 | ||
【主权项】:
1.一种小面积图形刻蚀深度的测量方法,其特征在于,包括:提供一参考样品,在所述参考样品上设置多个面积不同的刻蚀参考区,对所述多个刻蚀参考区进行刻蚀,测量每一刻蚀参考区的刻蚀面积与刻蚀速度,建立刻蚀面积与刻蚀速度的模型;提供一刻蚀衬底,在所述刻蚀衬底上设置第一刻蚀图形和第二刻蚀图形;其中,第一刻蚀图形的面积大于第二刻蚀图形的面积;以相同的刻蚀工艺分别在第一刻蚀图形和第二刻蚀图形内刻蚀所述衬底;测量第一刻蚀图形的刻蚀深度,根据刻蚀时间与刻蚀深度计算第一刻蚀图形的刻蚀速度;根据第一刻蚀图形的刻蚀速度及其面积,对所述刻蚀面积与刻蚀速度的模型进行校正;根据校正后的刻蚀面积与刻蚀速度的模型以及第二刻蚀图形的刻蚀面积,计算第二刻蚀图形的刻蚀速度;根据第二刻蚀图形的刻蚀速度以及刻蚀时间,计算第二刻蚀图形刻蚀深度;其中,所述刻蚀参考区面积为25nm2~10000μm2,所述第一刻蚀图形的面积为2μm2~10000μm2,所述第二刻蚀图形的面积为25nm2~25μm2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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